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面向LED量产专用干刻装置「NE-950EX」销售开始

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    爱发科株式会社(社长 諏訪秀則、总公司、神奈川县茅崎市)在化合物半导体及MEMS领域拥有诸多销售实绩的干刻装置「APIOS NE系列」,去年增加了LED量产专用干刻装置NE-950后续机种的更新系列。总公司对这套历年比达140%,生产性能提升,面向LED量产专用的干刻装置「NE-950EX」的销售情况,进行了发表介绍。

    近年来,以发光二极管(LED : Light Emitting Diode)及半导体激光(LD : Laser Diode)为主的发光器件需求日益增高。LED不仅在景观灯或是电子光源信号灯以及探照灯照明、手机等中小型LCD背光源的需求持续扩大,甚至在大型LCD背光源、路灯及一般室内照明等市场也有在急剧扩张的趋势。在这样的背景下,LED市场到了2015年,仅只在日本国内也有1兆日元规模的预测。另外,在生产技术方面来看,随着市场规模扩大的同时,对器件低成本化的要求持续增强,如何让器件的制造成本降低、器件生产的生产效率提升的对策也日趋重要。

    爱发科近年来随着市场的扩大,对于严格要求低成本化的LED市场,生产效率的提升成为了主要的目的。这套历年比达140%,对生产性能有显著提升的量产用干刻装置「APIOS NE-950EX」不但已经开始投入生产制造,12月份也开始出货了。「APIOS NE-950EX」不但能在化合物半导体市场上反应出积累丰富的工艺流程技巧,并且也能在量产线中体现出所具备的稳定性及信赖性的同时,配合市场需求达到高生产性能,是一套对成本控制表现极高的量产专用机。

    爱发科独自研发,以LED、LD为首的各种化合物半导体领域的干刻中获得好评的磁场感应式的有磁场ICP(ISM : Inductive Super Magnetron)的等离子源(专利第3188353号)也随着基板电极的大型化,改良成能对应等离子密度及均一性的大口径化。根据此一改良,刻蚀的凹陷值可达?5%以下@E/E (Edge Exclusion) 2mm。这种等离子源的改良,能让硅片切片,达到最高的成品率。

    在蓝紫色及蓝色、红色系的LED制造工程中使用GaN(氮化钾)及蓝宝石、4元系(AlGalnP)等作为刻蚀的特殊性,为了避免对工艺室的沉积物及对真空排气系等反应生成物的堆积,装置的安定开机率及工艺流程的再现性就成了很大的改善课题。对于这样的课题,作为RF导入口的防污对策,爱发科独自开发星型电池装置(专利第3429391号),对长年量产实绩到工艺室内壁的表面处理及温度控制、真空排的系沉积等提供相应对策,能让用户产生高度信赖。

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